The 6th International Workshop on High-K dielectrics on InGaAs for ultimate CMOS characteristics and devices(第六屆國際研討會--砷化銦鎵基板上之高介電係數氧化層用於終極互補式金氧半電晶體元件之探討)

　　由國立台灣大學應用物理學研究所洪銘輝教授所籌劃之國際研討會，於2013年10月6-9日，假台南成功大學舉行。此研討會乃2013 IEEE NMDC會議中的一個special session，很成功地結合了會議群辦之效益，吸引了許多相關領域之傑出學者前來共襄盛舉。

　　參與此會議的學者均是半導體物理與元件的研究專家，他們針對高介電氧化物/三五族半導體的界面特性有極為重大的貢獻，其發表的研究成果有相當多篇刊登於國際著名期刊，如物理評論期刊（Physical Review Letters）、應用物理期刊（Applied Physics Letters）和電子元件期刊（IEEE Electron Device Letters）等。

　　會議中所邀請的講者，國內有─同步輻射究研中心皮敦文博士、國立台灣大學應用物理學研究所林宗達博士，更遠從國外邀請到 Dr. E. A. Cartier (IBM, New York, USA)、Prof. R. Engel-Herbert(Pennsylvania State University, Pennsylvania, USA)、Dr. D. Lin (IMEC, Belgium)、Prof. P. McIntyre (Stanford University, California, USA)、Prof. Y. Taur (University of California, San Diego, USA)、Dr. D. Veksler (Sematech, New York, USA)、Prof. E. Vogel (Georgia Institute of Technology, Georgia, USA)、Prof. R. Wallace (University of Texas at Dallas, Texas, USA) 等8位該領域的世界級專家。

　　此研討會不僅成功地促進了國際學術交流，充份地讓國內教授、學生、科技人士與國外優秀科技人士及教授有所互動且意見交流，更將台灣目前的研究成果展現國際，再攀國際地位一級。