臺大物理學系陳永芳教授團隊利用半導體奈米結構與磁性半金屬奈米材料結合，而能創造出自行組裝之單一方向自旋電子存在於半導體發光層，因為磁性半金屬具有選擇性的讓單一方向自旋電子流入的本質，這個新穎物理機制，依賴的是能帶結構之特殊性質，去除了傳統方式依賴光學激發與磁性電極之限制，因而得以克服先前的障礙，成功的展示高效率旋光性發光二極體以及旋光性雷射。值得一提的是該研究團隊所展示的旋光性元件為氮化物半導體，依照先前理論的分析，氮化物半導體發光之旋光性大約為3%，並不合適用於研製旋光性發光元件，然而經由新提出的物理機制，該理論值已被打破，因此本校研究團隊的研究成果，不但克服了傳統的困難，亦大幅提升了可使用於產生旋光性發光元件半導體材料的選擇性，對自旋光電子學的研究與應用具有關鍵性影響。
|
