盧志遠博士是一位研究成果卓越，著作等身的傑出科研專家，而且他又能實踐應用其科研成果，帶動領導了台灣半導體產業的飛躍成長，步上世界之舞台。由於貢獻卓著，盧博士獲獎無數。2012年，他榮獲國際IEEE學會在其專業領域最高科技研發卓越及領導開創成就獎項─「IEEE Frederik Philips Award」，為兩岸三地首位獲此殊榮的科學家。今年，盧志遠博士獲頒國立交通大學名譽博士及工研院院士榮銜，近日又榮獲國家最高榮譽科學研究獎項─「總統科學獎」的榮耀，皆再再肯定其貢獻與成就。 盧志遠博士之具體貢獻簡列如下： - 領導研發AT&T Bell Labs’ 600伏特之BCDMOS高壓IC技術，以及 0.6微米CMOS Twin-tub製程技術，此為當時1980年代末期最先進之CMOS技術。其技術理論迄今仍被廣泛引用，促成CMOS半導體產業蓬勃發展，市值逾千億美元。
- 帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫，完成被外界視為是不可能完成之獨立研發、量產自有技術的先進半導體產業楷模。不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力，更成功將台灣推向世界高科技舞台，奠定了台灣在全球半導體產業鏈中扮演重要關鍵角色的基石。
- 共同創立世界先進公司，成為催化台灣記憶體產業的重要推手；之後創立的欣銓科技，除證實晶圓級測試為可行的商業模式，也讓台灣晶圓製造產業聚落的發展模式變得更為可行。此創新之模式更成為了哈佛大學商學院(HBS)之推廣教案之一。
- 投身非揮發性記憶體前瞻技術研發，其領導的旺宏研發團隊發表之次世代記憶體先驅技術如BE-SONOS，根本解決Flash記憶體在尺寸微小化後面臨資料相互干擾及無法長久保存之困境。近期更推動3D垂直閘極的快閃記憶體先進技術，能使半導體記憶器持續微縮至10奈米以下，影響重大。
- 積極鑽研於電子元件及材料科技，發表超過 400多篇學術及技術論文，更擁有150餘項國際專利。另擔任美國 IEEE Transactions on Electron Devices 學刊編輯人逾十五年，對於半導體的學理與實務多所啟發，長年耕耘。
- 致力推動科普教育，擔任台灣首份科普雜誌「科學月刊」社長多年，並熱心支持各項技術與學術研討活動，促進國際產業交流發展。更透過旺宏教育基金會舉辦的「旺宏金矽獎」及「旺宏科學獎」，協助上萬名國內師生啟發科學創意，對於國內科學教育的深耕經營及科技競爭力的提昇不遺餘力。
盧志遠博士最重要的成就，在於他不僅是一位具有願景遠見的卓越企業家，尤其，他更是一位在半導體產業及電子元件界表現傑出的科學研究者。盧博士對學術技術之實踐落實，其能力與成效，在學術界或產業界皆屬極為難得，舉世罕見。 | 